世界最小静态随机存取存储器元件诞生

        据科学时报报道,日本东芝公司、美国IBM和AMD公司12月17日联合发表新闻公报说,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。

      公报说,以往使用平面晶体管制造SRAM元件时,半导体厂家通常依靠向元件内注入大量混合物来调节晶体管的特性,从而缩小晶体管的体积。但是,这样的调节方法容易造成晶体管特性参差不齐,从而导致SRAM元件稳定工作的性能下降。而不需要向硅通道注入大量混合物的鳍式场效晶体管,被业界认为可以替代以往的平面晶体管,从而既抑制晶体管特性的参差不齐,又可实现SRAM元件的小型化。

      更多详情请参见:http://www.sciencenet.cn/htmlnews/2008/12/214571.html



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